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全球半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模、技術演進及企業(yè)競爭態(tài)勢

1、半導體存儲器概況

半導體存儲器作為數字信息的核心載體，是集成電路產業(yè)的關鍵分支。該類器件通過磁性材料或半導體等介質實現信息存儲，其存儲與讀取機制本質上是電荷的存儲與釋放過程。作為電子系統(tǒng)中數據存儲與運算的基礎載體，半導體存儲器是應用范圍最廣、市場份額占比最高的集成電路基礎產品之一。

根據斷電后數據保持能力的差異，半導體存儲器可分為易失性存儲器與非易失性存儲器兩大類別，具體分類如下：

半導體存儲器分類

資料來源：普華有策

易失性存儲器又可分為靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存儲器（DRAM）；非易失性存儲器主要包括快閃存儲器（Flash）、掩膜型只讀存儲器（MROM）和可編程只讀存儲器（PROM/EPROM/EEPROM）。快閃存儲器（Flash）的主流產品為NANDFlash和NORFlash。DRAM與NANDFlash在半導體存儲占據主導地位。

2、半導體存儲器行業(yè)市場規(guī)模分析

根據世界半導體貿易統(tǒng)計組織（WSTS）數據顯示，2024年全球半導體市場呈現強勁復蘇態(tài)勢，市場規(guī)模達到6,269億美元。其中，半導體存儲器細分領域表現突出，市場規(guī)模達1,671億美元，占全球半導體市場總規(guī)模的26.65%。市場研究顯示，該增長態(tài)勢預計將在2025年持續(xù)，半導體存儲器市場規(guī)模有望攀升至1,894億美元，屆時其占全球半導體市場的比重將進一步提升至27.17%。

2020-2024年全球半導體及半導體存儲器市場規(guī)模

資料來源：普華有策

3、半導體存儲器行業(yè)技術發(fā)展趨勢

半導體存儲器行業(yè)的技術迭代呈現出多路徑并行的特點，先進制程研發(fā)與新型架構創(chuàng)新成為兩大核心方向。在DRAM領域，制程節(jié)點持續(xù)突破，SK海力士的第六代10納米級(1cnm)DRAM工藝良率已提升至約80%，滿足大規(guī)模量產條件，該工藝將應用于DDR5、LPDDR6、GDDR7等產品。美光則率先出貨1γ(1-gamma)第六代DRAM節(jié)點產品，其16GbDDR5芯片的數據傳輸速率可達9200MT/s，較前代提升15%，功耗降低超過20%，并已應用于EUV光刻技術。

與之形成對比的是三星在先進DRAM制程上的延遲，其1cnmDRAM良率提升未達預期，導致量產計劃推遲至2025年底，這使得三星在HBM4等高端產品的布局受到一定影響。這種技術進度的差異正在重塑市場競爭格局，尤其在AI服務器所需的高帶寬內存領域更為明顯。

NAND閃存技術沿著"更高堆疊、更小顆粒"的路徑演進，3D堆疊層數從100層向200層乃至300層突破。鎧俠和西部數據計劃2025年量產300層以上產品，三星則在下一代(V10)閃存芯片中計劃實現420-430層堆疊，并通過獲得長江存儲的"混合鍵合"專利授權提升封裝技術。長江存儲已實現128層3DNAND穩(wěn)定量產，良率提升至80%以上，192層產品進入試產階段，與國際領先水平的差距縮小至1-2年。

新興存儲技術在2024年取得顯著進展，其中阻變存儲器(ReRAM)商業(yè)化提速最為明顯。臺積電推出22納米嵌入式ReRAM產品，應用于低功耗無線物聯網解決方案；國內廠商維信諾完成世界首顆采用嵌入式ReRAM技術的AMOLED顯示驅動芯片開發(fā)，昕原半導體的ReRAM安全存儲產品已在工業(yè)自動化控制領域實現商用量產。ReRAM憑借高速度、耐久性強和多位存儲能力等優(yōu)勢，在智能汽車、邊緣AI等領域展現出廣闊應用前景。

磁性存儲器(MRAM)方面，力積電與日本PowerSpin合作推進MRAM量產，計劃2029年實現量產；臺積電則持續(xù)研發(fā)STT-MRAM解決方案，其16/12納米工藝產品線已獲得車用市場訂單。這些新興技術雖然短期內難以撼動DRAM和NAND的主導地位，但在特定應用場景中正逐步實現替代，推動存儲器市場向多元化方向發(fā)展。

4、市場格局與競爭態(tài)勢

全球半導體存儲器市場呈高度寡頭壟斷格局，DRAM領域三星、SK海力士、美光占近95%份額，2024年三星以11.8%全球半導體市占率居首，另兩家分別以7.7%、4.8%緊隨，均受益于AI相關需求；NAND閃存市場三星等五家企業(yè)占超90%，2024年一季度三星以33%領先，長江存儲以6%銷售額占比躋身，按容量算達13%，性價比優(yōu)勢凸顯；HBM市場集中度更高，三星、SK海力士占超90%，2024-2025年產能售罄，2025年HBM3e將成主流，售價為傳統(tǒng)DRAM的3-5倍。

中國企業(yè)正打破市場平衡，長鑫存儲實現19nmDRAM量產、研發(fā)17nm，計劃2025年將全球份額提至10%，2024年底量產HBM2并規(guī)劃2026年推HBM3，通富微電加速HBM封裝布局。競爭策略分化明顯，頭部企業(yè)縮減DDR4等傳統(tǒng)產能、擴產DDR5及HBM，三星還出售西安NAND舊設備；中國企業(yè)則聚焦成熟制程規(guī)?；a，形成差異化競爭。

行業(yè)內主要企業(yè)有長鑫存儲、長江存儲、通富微電、三星電子、SK海力士（SKHynix）等企業(yè)。

行業(yè)內主要企業(yè)情況

資料來源：普華有策

《“十五五”半導體存儲器行業(yè)細分市場調研及投資戰(zhàn)略規(guī)劃報告》涵蓋行業(yè)全球及中國發(fā)展概況、供需數據、市場規(guī)模，產業(yè)政策/規(guī)劃、相關技術、競爭格局、上游原料情況、下游主要應用市場需求規(guī)模及前景、區(qū)域結構、市場集中度、重點企業(yè)/玩家，企業(yè)占有率、行業(yè)特征、驅動因素、市場前景預測，投資策略、主要壁壘構成、相關風險等內容。同時北京普華有策信息咨詢有限公司還提供市場專項調研項目、產業(yè)研究報告、產業(yè)鏈咨詢、項目可行性研究報告、專精特新小巨人認證、市場占有率報告、十五五規(guī)劃、項目后評價報告、BP商業(yè)計劃書、產業(yè)圖譜、產業(yè)規(guī)劃、藍白皮書、國家級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)認證、IPO募投可研、IPO工作底稿咨詢等服務。（PHPOLICY:GYF）